中芯国际14nm量产提前,12nm研发已取得突破

新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 中芯国际14nm量产提前,12nm研发已取得突破

中芯国际14nm量产提前,12nm研发已取得突破

作者:时间:2019-02-15来源:集微网收藏
编者按:今年中芯国际14nm量产进展顺利,第一代FinFET 14nm技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良率已进一步提升。此前媒体已披露,中芯国际将于今年上半年开始应用其自主开发的14纳米FinFET制造技术进行大规模生产,这比最初预期至少提前了几个季度,表明中芯国际的生产显然比计划提前了。

  公布截至2018年12月31日止第四季度的业绩。该季度销售额达到7.876亿美元,毛利为1.341亿美元,毛利率17%。

本文引用地址:/article/201902/397603.htm

  纵观2018年全年,收入同比增长8.3%,连续四年持续成长,业绩创下新高。2018年第四季收入同比持平,中国地区收入同比成长12%。

  展望2019年第一季度,中芯国际预计全年核心业务收入成长目标与晶圆代工行业成长率相当,基于目前的可见度,一季度收入预计为全年相对低点,季度收入将下降16%~18%,毛利率介于20%至22%,机器及设备损益以及出售生活园区资产收益影响后,将介于2.5亿美元至2.55亿美元。

  中芯国际联席首席执行官赵海军博士指出,面对2019年大环境许多的不确定,我们努力寻求成长机遇。稳中带进,积极开发客户,拓展成熟和特色工艺的产品组合和应用范围,发掘市场价值机会,为成长储备力量。

  值得欣喜的是,今年中芯国际量产进展顺利,第一代FinFET 技术进入客户验证阶段,产品可靠度与良率已进一步提升。此前媒体已披露,中芯国际将于今年上半年开始应用其自主开发的14纳米FinFET制造技术进行大规模生产,这比最初预期至少提前了几个季度,表明中芯国际的生产显然比计划提前了。

  上一季度财报会议时梁孟松表示,今年下半年,中芯也将专注于开发Cowos以及FinFET,尤其FinFET已经上轨道并受到客户认证,将提供移动与无线客户,未来将应用于AI、IoT和自驾车等领域,并导入新兴市场等区域。

  特别的,中芯国际联席首席执行官梁孟松博士表示,的工艺开发也取得突破。通过研发积极创新,优化产线,强化设计,争取潜在市场,对未来的机会深具信心。



关键词: 中芯国际 14nm 12nm

评论


相关推荐

技术专区

关闭